GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
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基本信息
| 标准名称： | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 |
| 英文名称： | Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 2009-10-30 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 四川新光硅业科技有限责任公司 |
| 起草人： | 梁洪、过惠芬、吴道荣 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 12页 |
| 计划单号： | 20073568-T-469 |
适用范围
本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。
本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10-9~5.0×10-9)a。
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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